Научная работа

За годы существования кафедры на ней сложилась научная школа, связанная с физико-химическими исследованиями в области технологии важнейших полупроводниковых материалов. Круг проблем, охватываемых научными исследованиями кафедры включает вопросы гетерогенных равновесий в сложных полупроводниковых системах, поведения и взаимодействия различных классов легирующих примесей в полупроводниках, дефектообразования в полупроводниковых монокристаллах, разработки процессов создания гетероструктур на основе полупроводников А_IIIВ_V для оптоэлектроники. Большой вклад в формирование и развитие научной школы внесли профессора С.С. Коровин, В.И. Фистуль, В.Б. Уфимцев, М.Г. Мильвидский. Под их руководством подготовлены несколько докторов и десятки кандидатов наук, результаты научных исследований нашли практическую реализацию на ряде ведущих предприятий отрасли. В 1987 г. сотрудники кафедры Р.Х. Акчурин, В.Б. Уфимцев, В.Б. Освенский в составе авторского коллектива удостоены звания лауреатов Государственной премии СССР за цикл работ "Физико-химические основы изовалентного легирования полупроводников".

Кафедра ММОНЭ осуществляет фундаментальные и прикладные исследования по современным научно-техническим направлениям Научные исследования, проводимые на кафедре, финансируются из бюджета РФ и, в разные годы, по хоздоговорам и грантами, полученными на конкурсной основе. В этих работах принимают активное участие обучающиеся на кафедре студенты и аспиранты.

Основные научные направления, по которым проводятся научно-исследовательские работы на кафедре:

• Новые полупроводниковые материалы и компоненты для опто- и микроэлектроники;
• Разработка методов направленного модифицирования свойств полупроводниковых материалов и компонентов электронной техники;
• Низкоразмерные структуры для микро- и наноэлектроники;
• Моделирование базовых процессов полупроводниковой технологии.

Исследовательские работы, проводимые на кафедре, обеспечили получение фундаментальных данных о поведении примесей и дефектов в процессах формирования и обработки различных полупроводниковых материалов и структур, в частности при жидкофазной эпитаксии, ионной имплантации, термообработке. Разработаны методы и составы для получения полупроводниковых структур, используемых в лазерах с электронной накачкой, методы получения упругонапряженных сверхтонких слоев полупроводников А^IIIB^V методом жидкофазной эпитаксии, составы для нанесения защитных диэлектрических покрытий.

Поддерживаются творческие связи с коллегами из стран дальнего и ближнего зарубежья.

Научные достижения кафедры получили признание отечественной и зарубежной научной общественности. Сотрудники кафедры являются авторами и соавторами 8 монографий, десятков авторских свидетельств и патентов; среди них 2 академика РАЕН, лауреаты Ленинской и Государственных премий СССР. Результаты научных исследований докладывались на многих представительных международных конференциях в РФ, США, Германии, Франции, Японии Испании, Болгарии, Польше и других странах. Они регулярно публикуются в ведущих отечественных и зарубежных научных журналах. Научные исследования, проводимые сотрудниками кафедры ММОНЭ, являются важным фактором в подготовке новых молодых специалистов для электронной промышленности, расширении их научного кругозора и в выработке у них практических навыков в научно- исследовательской работе еще на студенческой скамье.