Структура подготовки

Кафедра осуществляет подготовку специалистов по трехуровневой схеме. На каждом образовательном уровне студентам предоставлены возможности выбора образовательно-профессиональных программ, участие в научно-исследовательской работе кафедры.

Учебно-научный процесс ориентирован на практическую деятельность выпускников. Связь с потребителями специалистов осуществляется на основе многолетних творческих и производственных контактов. По возможности кафедра направляет студентов для работы на предприятия и НИИ уже на ранних этапах специальной подготовки. В дальнейшем эти связи развиваются на этапах прохождения научно-производственной и преддипломной практик.

В учебном процессе широко используется современная вычислительная техника. Кафедра располагает современным компьютерным классом с выходом в Интернет.

Разработаны (в т.ч. с участием студентов) обучающие программы по моделированию ряда технологических процессов (рост кристаллов методом вытягивания из расплава, очистка полупроводниковых материалов методом зонной плавки, рост эпитаксиальных слоев и создание эпитаксиальных гетерокомпозиций методами жидкофазной, газофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии). Систематически ведется работа по расширению использования вычислительной техники и новых информационных технологий в учебном процессе.

Параллельно с технической специальностью, студенты имеют возможность получить дополнительное образование по экономической специальности, обучаясь одновременно в двух специалитетах.

КАФЕДРА ОСУЩЕСТВЛЯЕТ ПОДГОТОВКУ:

• БАКАЛАВРОВ по направлению 551600 «Материаловедение и технология новых материалов»(срок обучения 4 года),
• ИНЖЕНЕРОВ по специальностям 071100 «Материаловедение и технология новых материалов» и 200100 «Материалы и компоненты твердотельной электроники» (срок обучения 5,5 лет) и
• МАГИСТРОВ по магистерской программе 551612 «Физическое материаловедение и технология материалов электронной техники» (срок обучения 6 лет).

• ПОДГОТОВКА БАКАЛАВРОВ (срок обучения 4 года)

  Студенты, прошедшие обучение в бакалавриате по направлению 551600 «Материаловедение и технология новых материалов» и успешно защитившие квалификационную работу, получают степень БАКАЛАВРА ТЕХНИКИ И ТЕХНОЛОГИИ. Бакалавры имеют право поступать не только в магистратуру и специалитет (высшую инженерную школу) МИТХТ, но и любого другого высшего учебного заведения РФ, в котором проводится обучение по направлению 551600.

• ПОДГОТОВКА МАГИСТРОВ (общий срок обучения 6 лет)

  После успешного окончания магистратуры по МАГИСТЕРСКОЙ ПРОГРАММЕ 551612 «Физическое материаловедение и технология материалов электронной техники» в рамках направления 551600 «Материаловедение и технология новых материалов» студентам присваивается степень МАГИСТРА ТЕХНИКИ И ТЕХНОЛОГИИ. Магистры имеют право поступать в аспирантуру МИТХТ и любого другого высшего учебного заведения РФ и других стран по различным специальностям.

• ПОДГОТОВКА СПЕЦИАЛИСТОВ (общий срок обучения 5,5 лет)

  Студенты проходят обучение в специалитете (высшей инженерной школе) по специальности 071000 «Материаловедение и технология новых материалов». После успешного завершения обучения им присваивается квалификация - «ИНЖЕНЕР» по указанной специальности.

Все выпускники получают ДИПЛОМ государственного образца о высшем профессиональном образовании.

Квалификационные работы

• квалификационная работа бакалавра
• магистерская диссертация
• дипломная работа, дипломный проект или дипломная работа с проектным окончанием

выполняемые студентами на кафедре ММОНЭ, связаны с наиболее актуальными направлениями развития технологии материалов электронной техники и элементной базы современной электроники. Студенты имеют возможность в процессе обучения и выполнения квалификационных работ использовать современную вычислительную технику, имеющуюся на кафедре, включая информационное обеспечение выполняемых исследований и разработок через INTERNET.

Развитию навыков экспериментальной работы способствует научно-исследовательская практика у магистров и производственно-технологическая практика по специальности у инженеров, которую студенты проходят в летнем семестре в научно-исследовательских институтах РАН, научно-производственных объединениях и предприятиях электронной техники.

Параллельно с технической специальностью, студент МИТХТ имеет возможность получить диплом по экономической специальности, обучаясь одновременно в двух специалитетах.

За время существования кафедры было подготовлено более полутора тысяч высококвалифицированных специалистов, внесших весомый вклад в развитие отечественной электроники. Подготовлены научные и инженерные кадры для Болгарии, Венгрии, Вьетнама, Германии, Польши, стран СНГ.

Выпускники кафедры успешно работают в ведущих научных и производственных организациях нашей страны, а также в престижных научных центрах США, Великобритании, Германии и других развитых стран.

Свои способности и интерес к научной работе студент может проявить, участвуя в научно-исследовательской работе на кафедре или в филиалах кафедры (ГИРЕДМЕТ, НПО «Сапфир») и оформляя результаты работы в виде научных публикаций или докладов, представляемых на научные конференции, которые проводятся как на базе научных центров, так и высших учебных заведений.

С 1948 МИТХТ ежегодно проводит НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ КОНФЕРЕНЦИИ СТУДЕНТОВ, участие в которых принимают студенты различных университетов и вузов Москвы, Санкт-Петербурга и др. городов РФ и СНГ, а также иностранные студенты.

На конференции работают различные секции, в том числе секция «МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ», на которой регулярно делают доклады студенты, обучающиеся на кафедре ММОНЭ.

Наши студенты могут получить ИМЕННЫЕ стипендии им. САХАРОВА Б.А. - ученого, посвятившего свою жизнь становлению полупроводниковой промышленности нашей страны, им. СЫРКИНА Я.К., известного физико-химика, специалиста в области строения вещества.

Организация учебного процесса

Организация учебного процесса в соответствии с учебным планом обеспечивает полноценную профессиональную подготовку специалистов, отвечающую уровню современных требований. Кадровый потенциал кафедры ММОНЭ полностью обеспечивает все блоки дисциплин по бакалавриату, специалитету и магистратуре. В составе кафедры высококвалифицированные специалисты в области физики и химии твердого тела, материаловеды, химики-технологи, технологи, специалисты в области технологии полупроводниковых приборов и микроэлектронных устройств.

Каждые пять лет все преподаватели кафедры повышают свою квалификацию в форме стажировки на родственных кафедрах ведущих ВУЗов (МГУ, МИСиС, МИЭТ), ведущих НИИ или в форме ФПК.

Активно используются различные формы самостоятельной работы студентов: написание рефератов по актуальным проблемам материаловедения и технологии материалов электронной техники, современному состоянию различных направлений полупроводниковой технологии с последующим обсуждением их на семинарских занятиях. Стимулируется участие студентов в научно-исследовательской работе как на специальных кафедрах, так и в профильных НИИ (например, ИК РАН, ГНЦ Гиредмет, ИМЕТ РАН, ФИ РАН и др.). Студенты регулярно участвуют в ежегодных студенческих научно-технических МИТХТ.

Учебно-научный процесс ориентирован на практическую деятельность выпускников. Связь с потребителями специалистов осуществляется на основе многолетних творческих и производственных контактов. По возможности кафедра направляет студентов для работы на предприятия и НИИ уже на ранних этапах специальной подготовки. В дальнейшем эти связи развиваются на этапах прохождения научно-производственной и преддипломной практик.

В учебном процессе широко используется современная вычислительная техника. Разработаны (в т.ч. с участием студентов) обучающие программы по моделированию ряда технологических процессов (рост кристаллов методом вытягивания из расплава, очистка полупроводниковых материалов методом зонной плавки, рост эпитаксиальных слоев и создание эпитаксиальных гетерокомпозиций методами жидкофазной, газофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии). Систематически ведется работа по расширению использования вычислительной техники и новых информационных технологий в учебном процессе.

Материально-техническая база

Учебно-лабораторная база кафедры обеспечивает проведение практикумов по физическим основам материаловедения полупроводников, технологии полупроводниковых материалов, методам аналитического контроля материалов и структур, конструированию и технологии приборов и компонентов электронной техники и интегральных схем. При обучении по курсам специализаций студенты пользуются современной материально-технической базой филиалов кафедры.

Материальной частью лабораторных работ являются высокоточные и прецизионные приборы как отечественного, так и импортного производства, полностью эквивалентные приборам, используемым в ведущих НИИ и Академических институтах страны.

Ряд работ разработан и собран в таком виде, что на этом же оборудовании (стенде) в качестве логического продолжения проводятся УИРСы (учебно-исследовательские работы) студентов и аспирантов.

В учебно-исследовательской работе студентов используется современное оборудование проблемной научно-исследовательской лаборатории при кафедре ММОНЭ, а также оборудование физико-аналитического центра изучения состава и структуры, включающего такие методы как сканирующая электронная микроскопия, Оже-электронный, локальный рентгеноспектральный и рентгенофлюоресцентный методы анализа, масс-спектрометрию вторичных ионов.

Востребованность выпускников

Объем знаний, полученных за время обучения в МИТХТ, общий высокий уровень профессиональной подготовки специалистов на кафедре ММОНЭ, дают возможность выпускникам быстро адаптироваться к условиям практической деятельности в научно-исследовательских центрах и на производстве, успешно решать сложные современные научные и инженерно-технические задачи и обеспечивают быстрый профессиональный рост специалистов.

Несмотря на известные кризисные явления в отечественной науке и производстве, коснувшиеся также отраслей, связанных с электронной промышленностью, востребованность выпускников кафедры ММОНЭ продолжает оставаться высокой. Непосредственно на кафедру с просьбой о направлении специалистов регулярно обращаются как из научных учреждений (например ИК РАН, ИМЕТ РАН, ФИ РАН, ИОФ РАН, РСИ ИНЭОС РАН и др.) так и из научно-производственных организаций и объединений ( например НПО «Полюс», НПО «Пульсар», ОАО «Московский завод «Сапфир»», АООТ «Оптрон» и др.). Целый ряд специалистов, подготовленных в период 1993-98 г.г., успешно работает в организациях, профиль которых соответствует приобретенной специальности. География распределения выпускников охватывает город Москву, Московскую область, регионы средней России, а также ряд удаленных регионов. В качестве примера, можно привести места трудоустройства выпускников последних лет: РСИ ИНЭОС РАН, ГНЦ « Гиредмет», ЗАО «Сигма-плюс», ОАО «Московский завод »Сапфир», ФИ РАН, НИКФИ, ИК РАН, МИТХТ, ФСБ РФ, ФАПСИ при президенте РФ (все г.Москва), ВНИ ФТРИ, НИИ МВ, МП «Импульс» (все г. Зеленоград), ИЯФ (г. Обнинск), ИХФ (г. Черноголовка), АО «Норильский никель»(г. Норильск), ИК РАН, СМЗ (г. Соликамск), ФТИ при НГУ (г. Нижний Новгород), ПО «Прибой» (г. Львов).

Во всех отзывах потребителей специалистов дается положительная характеристика выпускников кафедр «Технология полупроводниковых материалов» Отмечается высокий уровень теоретической и инженерной подготовки специалистов, позволяющий быстро освоить передовые технологические процессы и исследовательские методы, адаптироваться к условиям современного производства. Подчеркивается подготовленность выпускников к самостоятельной работе, умение работать с литературой, владение компьютерной техникой. Ряд выпускников последних лет плодотворно занимаются в аспирантуре, активно участвуя в самых современных научно-технических разработках, многие из них уже представляли результаты своих исследований на представительных международных и российских научных конференциях, имеют публикации в ведущих отечественных и зарубежных периодических изданиях.

Схема подготовки специалистов

Дисциплины, изучаемые в ходе обучения в институте

На первом уровне обучения в течение двух лет студенты учатся по общей для всех программе на естественно- научном факультете. В это время они получают фундаментальные знания по математике, физике, химии, инженерным дисциплинам. Кроме того, преподаются такие общеобразовательные дисциплины, как философия, история, право, иностранный язык. В последние годы особое внимание уделяется гуманитарному образованию, позволяющему развить общую культуру молодого человека.

По окончании естественно- научного факультета студенты получают возможность продолжить образование для получения степени бакалавра по выбранному направлению. Кафедра ММОНЭ готовит бакалавров по направлению 551600 «Материаловедение и технология новых материалов». На этом этапе обучения начинается профессиональная подготовка студентов: читается ряд базовых курсов по специальности; изучаются физические и химические принципы, на которых базируется получение современных материалов электронной техники, основы технологии получения полупроводниковых кристаллов. Практическими навыками студенты овладевают на современных установках в лабораториях кафедры. Бакалавры, выпущенные кафедрой ММОНЭ, обладают достаточной квалификацией, чтобы успешно работать на предприятиях и в НИИ электронной промышленности.

Бакалавры, решившие продолжить образование по программе полного высшего образования и повысить свой рейтинг специалиста в области материаловедения полупроводниковых материалов, могут продолжить обучение на третьем образовательном уровне. Продолжительность обучения на этом этапе 1,5- 2 года. Кафедра ММОНЭ проводит подготовку

• магистров по программе «Материалы и компоненты твердотельной электроники» и
• инженеров в высшей инженерной школе по специальности 200100 «Материалы и компоненты твердотельной электроники» со специализациями:
  1. Технология микроэлектроники и наноэлектроники;
  2. Технология материалов ИК-техники и оптоэлектроники;
  3. Полупроводниковые структуры и материалы электронной техники;
  4. Материаловедение элементной базы электронной техники.

Тесное взаимодействие физико-математических, химических , химико- технологических дисциплин обеспечивает подготовку высоко -квалифицированных специалистов, способных работать в НИИ и КБ, на предприятиях в России и за рубежом. Формированию специалистов, имеющих образование на уровне мировых стандартов, обладающих практическими навыками в экспериментальной работе, способствуют базовые кафедры при ГИРЕДМЕТе и АООТ «Завод «Сапфир», организованные кафедрой ММОНЭ. Студенты третьего уровня обучения проходят на этих кафедрах практики, слушают спецкурсы, читаемые ведущими специалистами базовых кафедр, многие из которых имеют мировое имя. Подготовку студентов третьего уровня обучения осуществляют такиеизвестные в России и за рубежом ученые, как академик Российской академии естественных наук, лауреат Ленинской и Государственных премий ,доктор технических наук, профессор М.Г.Мильвидский, академик Российской академии естественных наук, лауреат Государственной премии, доктор химических наук, профессор В.Б.Уфимцев, лауреат Государственной премии, доктор технических наук, профессор Р.Х.Акчурин, лауреат Государственной премии, член-корреспондент Российской академии естественных наук, доктор технических наук, профессор В.Б.Освенский. Среди преподавателей кафедры 6 кандидатов наук, доцентов.

Научные исследования, проводимые сотрудниками кафедры ММОНЭ, являются важным фактором в подготовке новых молодых специалистов для электронной промышленности, расширении их научного кругозора и в выработке у них практических навыков в научно- исследовательской работе еще на студенческой скамье. Имеющееся на кафедре современное технологическое и исследовательское оборудование и сложившийся коллектив ученых позволили за годы существования кафедры создать научные школы и выполнить научные исследования, признанные как в России, так и за рубежом. Кафедра проводит совместные научные исследования с Институтом химических проблем микроэлектроники, Государственным научным центром по редким металлам и полупроводникам, АООТ «Завод «Сапфир», НИИ «Пульсар» и рядом ведущих институтов РАН.

Начиная с первого года обучения в МИТХТ студенты могут начать активно заниматься наукой в рамках студенческого научного общества , существующего на кафедре ММОНЭ. Выполняемые ими теоретические и экспериментальные работы докладываются на студенческих научных конференциях. Кроме того, среди авторов статей, публикуемых в отечественных и зарубежных научных журналах, часто фигурируют фамилии студентов. Студенты, отличившиеся в учебе и науке, получают специальные стипендии для молодых ученых, а по окончании академии вместе с дипломом о высшем образовании они получают Почетный диплом ,который дает преимущественное право на обучение в аспирантуре за счет госбюджета.

После окончания МИТХТ молодые специалисты находят применение своим силам и знаниям на предприятиях электронной отрасли и в научно-исследовательских институтах, а те, кто проявляет особые наклонности к научно-исследовательской работе, имеют возможность поступить в аспирантуру кафедры ММОНЭ.